ZXMHC10A07N8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

4 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A, 850 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

700 mOhms, 1.45 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

2.9 nC, 3.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

870 mW

Конфигурация:

Төрт

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ZXMHC10

Транзистор түрі:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.6 S, 1.2 S

Күз уақыты:

2.1 ns, 3.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.5 ns, 2.1 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.1 ns, 5.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

1.8 ns, 1.6 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC1, ZXMHC, ZXMH, ZXM