IRFHM792TR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

195 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

4.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.5 S

Күз уақыты:

2.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.7 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.4 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001575860

Бірлік салмағы:

0.001164 oz

Tags

IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF