BSS126 H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

21 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

500 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

2.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

BSS126

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 mS

Күз уақыты:

115 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS126H6327XT BSS126H6327XTSA2 SP000919334

Бірлік салмағы:

0.001199 oz

Tags

BSS126H63, BSS126H, BSS126, BSS12, BSS1, BSS