SCT30N120D2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

HiP247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

45 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V to 25 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Pd - қуаттың шығыны:

270 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Серия:

SCT30N120D2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

28 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns

Зауыттық буманың саны:

980

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Tags

SCT30N, SCT30, SCT3, SCT