RF4C050APTR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN2020-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

65 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

55 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.65 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

RF4C050AP

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

2.1 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

160 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

580 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RF4C050AP

Бірлік салмағы:

0.196723 oz

Tags

RF4C0, RF4C, RF4