ZXMN10A08DN8TA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

250 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

5 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

ZXMN10

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

4 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

2.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.2 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.4 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMN10A08DN8T, ZXMN10A08D, ZXMN10A08, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM