BSD840N H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

880 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

260 pC, 260 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

BSD840

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.5 S, 2.5 S

Күз уақыты:

900 ps, 900 ps

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.2 ns, 2.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7.8 ns, 7.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

1.9 ns, 1.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSD840NH6327XTSA1 BSD84NH6327XT SP000917654

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

BSD840NH, BSD84, BSD8, BSD