DMN2450UFB4-7R

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

X1-DFN1212-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

900 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

600 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

0.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.89 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

5.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.4 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.7 ns

Бірлік салмағы:

0.000176 oz

Tags

DMN245, DMN24, DMN2, DMN