STB20NM50-1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

250 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

192 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

8.95 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

STB20NM50

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

4.4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

10 S

Күз уақыты:

8.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

STB20NM5, STB20NM, STB20N, STB20, STB2, STB