SQJ910AEP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8L-4

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.8 mOhms, 5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC, 39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

48 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

72 S, 72 S

Күз уақыты:

7 ns, 7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns, 3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns, 27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns, 11 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SQJ910, SQJ91, SQJ9, SQJ