DMG4413LSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

46 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

DMG4413L

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

26 S

Күз уақыты:

66 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

160 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.030018 oz

Tags

DMG4413LSS-1, DMG4413LSS, DMG4413LS, DMG441, DMG44, DMG4, DMG