IRF7707GTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSSOP-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

22 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Qg - қақпа заряды:

47 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.2 mm

Ұзындығы:

4.4 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

15 S

Күз уақыты:

207 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

81 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001565642

Бірлік салмағы:

0.005573 oz

Tags

IRF7707, IRF770, IRF77, IRF7, IRF