IXFN32N120P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

32 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

6.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

360 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 kW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

12.22 mm

Ұзындығы:

38.23 mm

Серия:

IXFN32N120

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Polar HiPerFET Power MOSFET

Ені:

25.42 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

17 S

Күз уақыты:

58 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

62 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

88 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXFN32N1, IXFN32N, IXFN32, IXFN3, IXFN, IXF