SSM6G18NU,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

UDFN-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

112 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

0.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

4.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

43 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Tags

SSM6G, SSM6, SSM