DMN3033LDM-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-26-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

DMN3033

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.6 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

63 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бірлік салмағы:

0.000529 oz

Tags

DMN3033LD, DMN3033, DMN303, DMN30, DMN3, DMN