TK3R1E04PL,S1X

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

128 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

63.4 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

87 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

15.1 mm

Ұзындығы:

10.16 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.45 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

27 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

83 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

TK3R1E, TK3R1, TK3R, TK3