Jan2N2905/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-205AD-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

40 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

60 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.4 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

600 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

450 at 1 mA, 10 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

30 at 500 mA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N2905, Jan2N290, Jan2N29, Jan2N2, Jan2N, Jan2, JAN