SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3
Mfr. #:
SI5902BDC-T1-E3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET 30V 4.0A 3.12W
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI5902BDC-T1-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - массивтер
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Таспа және катушка (TR)
Бөлік бүркеншік аттар
SI5902BDC-E3
Бірлік-салмағы
0.002998 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
8-SMD, Flat Lead
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
1206-8 ChipFET
Конфигурация
Қосарлы
FET түрі
2 N-Channel (Dual)
Қуат – Макс
3.12W
Транзистор түрі
2 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
220pF @ 15V
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
7nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
1.5 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
80 ns 12 ns
Көтерілу уақыты
80 ns 12 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
3.7 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
65 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
12 ns 10 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
15 ns 4 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI5902B, SI5902, SI590, SI59, SI5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 30 V 0.065 O 7 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
***et Europe
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4A 8-Pin Chip FET T/R
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:4000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # V72:2272_09216236
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
RoHS: Compliant
2408
  • 1000:$0.5185
  • 500:$0.6384
  • 250:$0.7282
  • 100:$0.7361
  • 25:$0.9183
  • 10:$0.9290
  • 1:$1.0830
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # SI5902BDC-T1-E3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
1985In Stock
  • 1000:$0.6458
  • 500:$0.8180
  • 100:$1.0548
  • 10:$1.3350
  • 1:$1.5100
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # SI5902BDC-T1-E3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
1985In Stock
  • 1000:$0.6458
  • 500:$0.8180
  • 100:$1.0548
  • 10:$1.3350
  • 1:$1.5100
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # SI5902BDC-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.5852
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # 30316800
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
RoHS: Compliant
2408
  • 1000:$0.5185
  • 500:$0.6384
  • 250:$0.7282
  • 100:$0.7361
  • 25:$0.9183
  • 12:$0.9290
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # SI5902BDC-T1-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5902BDC-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.5529
  • 6000:$0.5359
  • 12000:$0.5139
  • 18000:$0.4999
  • 30000:$0.4869
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # 16P3794
Vishay IntertechnologiesDUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 1206,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:4A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.1ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3V,Product Range:-RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.4300
  • 25:$1.3600
  • 50:$1.2300
  • 100:$1.1100
  • 250:$1.0100
  • 500:$0.8400
  • 1000:$0.7450
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # 75M5527
Vishay IntertechnologiesDUAL N-CH 30V (D-S) MOSFET ROHS COMPLIANT: YES0
  • 1:$0.6540
  • 1000:$0.6270
  • 2000:$0.5700
  • 4000:$0.5130
  • 6000:$0.4940
  • 10000:$0.4830
SI5902BDC-T1-E3
DISTI # 781-SI5902BDC-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
RoHS: Compliant
2710
  • 1:$1.3300
  • 10:$1.1000
  • 100:$0.8400
  • 500:$0.7230
  • 1000:$0.5700
  • 3000:$0.5320
SI5902BDCT1E3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
Europe - 6000
    SI5902BDC-T1-E3  1918
      SI5902BDC-T1-E3
      DISTI # C1S803603325600
      Vishay IntertechnologiesMOSFETs
      RoHS: Compliant
      2408
      • 250:$0.7282
      • 100:$0.7361
      • 25:$0.9183
      • 10:$0.9290
      SI5902BDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
      RoHS: Compliant
      Americas -
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SI5902BDC-T1-GE3

        Mfr.#: SI5902BDC-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI5902BDC-T1-GE3

        MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
        SI5902BDC-T1-E3

        Mfr.#: SI5902BDC-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI5902BDC-T1-E3

        MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
        SI5902BDC-T1-E3

        Mfr.#: SI5902BDC-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI5902BDC-T1-E3-VISHAY

        IGBT Transistors MOSFET 30V 4.0A 3.12W
        SI5902BDC-T1-GE3

        Mfr.#: SI5902BDC-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI5902BDC-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
        SI5902BDCT1E3

        Mfr.#: SI5902BDCT1E3

        OMO.#: OMO-SI5902BDCT1E3-1190

        Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        4000
        Саны енгізіңіз:
        SI5902BDC-T1-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        0,72 $
        0,72 $
        10
        0,69 $
        6,88 $
        100
        0,65 $
        65,21 $
        500
        0,62 $
        307,90 $
        1000
        0,58 $
        579,60 $
        -ден бастаңыз
        Top