TSM60N600CH

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

490 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

9 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

1875

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

C5G TSM60N600CH

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

TSM60N6, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM