SSM6N61NU,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

UDFN-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

108 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

3.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFETs

Серия:

SSM6N61

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

Силикон N-канал MOS

Ені:

2 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM