TSM190N08CZ C0G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

190 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

160 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

75 V

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

TSM19, TSM1, TSM