STO47N60M6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-LL-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

36 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

52.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

255 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

8.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18.7 ns

Зауыттық буманың саны:

1800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

54.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21.5 ns

Tags

STO