BSS223PW H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-323-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

390 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

2.5 V

Qg - қақпа заряды:

- 0.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

BSS223

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.35 S

Күз уақыты:

3.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS223PWH6327XT BSS223PWH6327XTSA1 SP000843010

Бірлік салмағы:

0.000176 oz

Tags

BSS223PWH, BSS223, BSS22, BSS2, BSS