IXTA1R4N120P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

24.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

86 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

Полярлық

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

9.65 mm

Серия:

IXTA1R4N120

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Полярлық қуат MOSFET

Ені:

10.41 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.8 S

Күз уақыты:

29 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

78 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTA1R4N12, IXTA1R4, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT