2SB1386T100Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

- 20 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

- 30 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

- 6 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

5 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

120 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

390

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

2.5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Үздіксіз коллекторлық ток:

- 5 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

82

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.004603 oz

Tags

2SB1386T100Q, 2SB1386T100, 2SB1386T10, 2SB1386T, 2SB1386, 2SB138, 2SB13, 2SB1, 2SB