SIHB30N60E-E3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

29 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

85 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

E

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

36 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

32 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

63 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

SIHB30N60E, SIHB30, SIHB3, SIHB, SIH