STP7N52DK3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

620 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.15 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

34 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

90 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Түтік

Серия:

STP7N52DK3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

N-Channel SuperFREDmesh3 Power MOSFET

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.5 S

Күз уақыты:

4.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

33 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP7N5, STP7N, STP7, STP