BSL308PEH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 1.2 nC, - 1.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.6 S, 4.6 S

Күз уақыты:

2.8 ns, 2.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.7 ns, 7.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15.3 ns, 15.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.6 ns, 5.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSL308PE H6327 SP001101004

Бірлік салмағы:

0.000526 oz

Tags

BSL308PEH, BSL308P, BSL308, BSL30, BSL3, BSL