TSM60NB099PW C1G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

38 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

86 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

62 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

329 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

N-арна қуаты MOSFET

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

24 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

87 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Tags

TSM60NB09, TSM60NB0, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM