IPP072N10N3GXK

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

68 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

50 S

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

37 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

G IPP072N10N3 IPP072N10N3GXKSA1 SP000680830

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

IPP072N10N3GX, IPP072N10N3, IPP072, IPP07, IPP0, IPP