OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIRC04DP-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIRC04DP-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIRC04DP-T1-GE3 DatasheetSIRC04DP-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIRC04DP-T1-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIRC04DP-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PowerPAK-SO-8
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
30 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
60 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
3.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2.1 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 16 V, 20 V
Qg - қақпа заряды:
16.6 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
50 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET, PowerPAK
Қаптама:
Ролик
Серия:
СИР
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
140 S
Күз уақыты:
9 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
55 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
25 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
30 ns
Tags
SIRC0, SIRC, SIR
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
TrenchFET Gen IV Power MOSFET N-Channel with Schottky Diode 30V VDS +20V -16V VGS 60A ID 8-Pin PowerPAK SOIC T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
***ark
Mosfet, N-Ch, 30V, 60A, 150Deg C, 50W; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.00205Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 30V, 60A, 150DEG C, 50W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.00205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:TrenchFET Gen IV Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, CANAL N, 30V, 60A, 150°C, 50W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.00205ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:50W; Modello Case Transistor:PowerPAK SO; No. di Pin:8Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:TrenchFET Gen IV Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # SIRC04DP-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		6000In Stock
  • 6000:$0.7316
  • 3000:$0.7598
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # SIRC04DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		6000In Stock
  • 1000:$0.8405
  • 500:$1.0144
  • 100:$1.2347
  • 10:$1.5360
  • 1:$1.7100
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # SIRC04DP-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		6000In Stock
  • 1000:$0.8405
  • 500:$1.0144
  • 100:$1.2347
  • 10:$1.5360
  • 1:$1.7100
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # SIRC04DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrenchFET Gen IV Power MOSFET N-Channel with Schottky Diode 30V VDS +20V -16V VGS 60A ID8-Pin PowerPAK SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SIRC04DP-T1-GE3)
Min Qty: 6000
Container: Reel		Americas - 0
  • 60000:$0.6869
  • 30000:$0.7059
  • 18000:$0.7259
  • 12000:$0.7569
  • 6000:$0.7799
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # 81AC2785		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 60A, 150DEG C, 50W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:60A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.00205ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.1V,Power RoHS Compliant: Yes6050
  • 500:$0.9480
  • 250:$1.0100
  • 100:$1.0800
  • 50:$1.1900
  • 25:$1.2900
  • 10:$1.3900
  • 1:$1.6800
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # 59AC7426		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTT0
  • 10000:$0.6700
  • 6000:$0.6970
  • 4000:$0.7240
  • 2000:$0.8040
  • 1000:$0.8470
  • 1:$0.9010
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # 78-SIRC04DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant		5996
  • 1:$1.6600
  • 10:$1.3800
  • 100:$1.0700
  • 500:$0.9390
  • 1000:$0.7780
  • 3000:$0.7240
  • 6000:$0.6970
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # 2932950		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 60A, 150DEG C, 50W6050
  • 500:£0.6800
  • 250:£0.7280
  • 100:£0.7750
  • 10:£1.0500
  • 1:£1.3700
SIRC04DP-T1-GE3
DISTI # 2932950		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 60A, 150DEG C, 50W
RoHS: Compliant		6050
  • 1000:$1.2200
  • 500:$1.2800
  • 250:$1.5100
  • 100:$1.8300
  • 10:$2.3300
  • 1:$2.8200
Сурет Бөлім № Сипаттама
SIRC04DP-T1-GE3

Mfr.#: SIRC04DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIRC04DP-T1-GE3

 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRC04DP

Mfr.#: SIRC04DP

OMO.#: OMO-SIRC04DP-1190

 Жаңа және түпнұсқа
SIRC04DP-T1-GE3

Mfr.#: SIRC04DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIRC04DP-T1-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1988
Саны енгізіңіз:
SIRC04DP-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
1,66 $
1,66 $
10
1,38 $
13,80 $
100
1,07 $
107,00 $
500
0,94 $
469,50 $
1000
0,78 $
778,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top