IPP80R1K4P7XKSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

10 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 50 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

32 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

CoolMOS P7

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPP80R1K4P7 SP001422718

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

IPP80R, IPP80, IPP8, IPP