SSM6L09FUTE85LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

400 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Pd - қуаттың шығыны:

300 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

SSM6L09

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

68 ns, 85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns, 85 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SSM6L09, SSM6L0, SSM6L, SSM6, SSM