IXGB200N60B3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

PLUS 264-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.35 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

75 A

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 kW

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

IXGB200N60

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

600 A

Биіктігі:

26.42 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 150 C

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Үздіксіз коллекторлық ток:

75 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

IGBT

Сауда атауы:

GenX3

Tags

IXGB, IXG