TPN2R805PL,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

45 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

139 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

104 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

TPN2R805PL

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.4 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бірлік салмағы:

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN