DMN3035LWN-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

V-DFN3020-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.9 nC, 9.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.78 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET жақсарту режимі

Серия:

DMN3035

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

MOSFET жақсарту режимі

Ені:

3 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

2 ns, 2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.3 ns, 3.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10.6 ns, 10.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns, 3 ns

Tags

DMN303, DMN30, DMN3, DMN