STB50NE10T4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

21 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

180 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.6 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STB50NE10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

9.35 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S

Күз уақыты:

35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

100 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STB50NE1, STB50NE, STB50N, STB50, STB5, STB