OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7892BDP-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7892BDP-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
V
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Қаптама
Ролик
Бөлік бүркеншік аттар
SI7892BDP-GE3
Бірлік-салмағы
0.017870 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
TrenchFET/PowerPAK
Пакет-қорап
SO-8
Технология
Си
Арналар саны
1 Channel
Конфигурация
Бойдақ
Транзистор түрі
1 N-Channel
Pd-қуат-диссипация
5 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
13 ns
Көтерілу уақыты
13 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
25 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
4.2 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
62 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
20 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7892BDP-T, SI7892BD, SI7892B, SI7892, SI789, SI78, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:25000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7892BDP-T1-GE3
DISTI # SI7892BDP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7892BDP-T1-GE3
    DISTI # SI7892BDP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$0.7508
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$0.8889
      • 6000:$0.8629
      • 12000:$0.8279
      • 18000:$0.8049
      • 30000:$0.7829
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape and Reel      		Asia - 0
        SI7892BDP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7892BDP-T1-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
        RoHS: Compliant        		2576
        • 1:$1.9000
        • 10:$1.5800
        • 100:$1.2300
        • 500:$1.0700
        • 1000:$0.8870
        • 3000:$0.8260
        • 6000:$0.7950
        • 9000:$0.7640
        SI7892BDPT1GE3Vishay Intertechnologies 
        RoHS: Compliant        		Europe - 3000
          Сурет Бөлім № Сипаттама
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3

          		 MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3

          		 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP

          Mfr.#: SI7892BDP

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          SI7892BDP-T1

          Mfr.#: SI7892BDP-T1

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3-VISHAY

          		 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
          Қол жетімділік
          Қор:
          Available
          Тапсырыс бойынша:
          1000
          Саны енгізіңіз:
          SI7892BDP-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
          Анықтамалық баға (USD)
          Саны
          Тауар өлшемінің бағасы
          Қосымша. Бағасы
          1
          1,13 $
          1,13 $
          10
          1,07 $
          10,70 $
          100
          1,01 $
          101,36 $
          500
          0,96 $
          478,65 $
          1000
          0,90 $
          901,00 $
          2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
          -ден бастаңыз
          Top