APT50M38JLL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

9.6 mm

Ұзындығы:

38.2 mm

Ені:

25.4 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

4 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

88 A

Pd - қуаттың шығыны:

694 W

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

38 mOhms

Көтеру уақыты:

22 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

POWER MOS 7, ISOTOP

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

APT50M, APT50, APT5, APT