2N7002P,215

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

360 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

0.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

420 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel Trench MOSFET

Ені:

1.4 mm

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns

Бірлік салмағы:

0.000882 oz

Tags

2N7002P,2, 2N7002P, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7