TPH3R003PL,LQ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOP-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

134 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

50 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

90 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.95 mm

Ұзындығы:

5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

5.9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Tags

TPH3R0, TPH3R, TPH3, TPH