OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFX360N15T2

IXFX360N15T2
Mfr. #:
IXFX360N15T2
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFX360N15T2 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFX360N15T2 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
IXYS
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
GigaMOS
Өнім
MOSFET қақпасының драйверлері
Түр
GigaMOS Trench T2 HiperFet
Қаптама
Түтік
Монтаждау стилі
Тесік арқылы
Сауда атауы
HiPerFET
Пакет-қорап
PLUS-247
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 175°C (TJ)
Монтаждау түрі
Тесік арқылы
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PLUS247-3
Шығарулар саны
1
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
1670W
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
150V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
47500pF @ 25V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
360A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
Gate-Charge-Qg-Vgs
715nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
1670 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 175 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Шығыс-кернеу
150 V
Операциялық-жабдықтау-ток
100 A
Шығыс тогы
360 A
Күз уақыты
265 ns
Көтерілу уақыты
170 ns
Жүргізушілер саны
1 Driver
Максималды-өшіру-кідірту уақыты
115 ns
Максималды-қосу-кешігу-уақыты
50 ns
Tags
IXFX3, IXFX, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
***i-Key
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
***ure Electronics
150V 360A 0.004 Ohm N-Ch PLUS247 HiperFET
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
IXYS GigaMOS™ TrenchT2™ standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (Tc=@25ºC). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These new IXYS GigaMOS Power MOSFETs incorporate IXYS TrenchT2 Technology, allowing for improved channel density while achieving lower on-state resistance and gate charge to facilitate energy-efficient switching at high speeds. These IXYS GigaMOS TrenchT2 Power MOSFETs eliminate multiple paralleled lower current rated MOSFET devices and provide the ability to control more power within a smaller footprint. These devices are designed for use in a wide range of applications, including synchronous rectification, DC-DC converter, battery charger, and switch-mode and resonant-mode power supplies.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFX360N15T2
DISTI # V99:2348_15878492		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant		30
  • 500:$12.8800
  • 250:$14.6000
  • 100:$16.8000
  • 50:$17.2300
  • 25:$18.5400
  • 10:$19.6900
  • 5:$20.8000
  • 1:$21.4200
IXFX360N15T2
DISTI # IXFX360N15T2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		On Order
  • 120:$18.3707
  • 30:$19.7660
  • 1:$23.2500
IXFX360N15T2
DISTI # 30695442		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant		30
  • 25:$18.5400
  • 10:$19.6900
  • 5:$20.8000
  • 1:$21.4200
IXFX360N15T2
DISTI # 747-IXFX360N15T2		IXYS CorporationGate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
RoHS: Compliant		73
  • 1:$24.3100
  • 5:$23.7600
  • 10:$22.4900
  • 25:$21.1400
  • 50:$19.5600
  • 100:$19.2100
  • 250:$16.3800
  • 500:$14.2700
IXFX360N15T2
DISTI # C1S331700117829		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant		30
  • 25:$18.5400
  • 10:$19.6900
  • 5:$20.8000
  • 1:$21.4200
Сурет Бөлім № Сипаттама
IXFX360N15T2

Mfr.#: IXFX360N15T2

OMO.#: OMO-IXFX360N15T2

 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFX360N10T

Mfr.#: IXFX360N10T

OMO.#: OMO-IXFX360N10T

 MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
IXFX360N15T2

Mfr.#: IXFX360N15T2

OMO.#: OMO-IXFX360N15T2-IXYS-CORPORATION

 Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFX360N10T

Mfr.#: IXFX360N10T

OMO.#: OMO-IXFX360N10T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
4000
Саны енгізіңіз:
IXFX360N15T2 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
19,32 $
19,32 $
10
18,35 $
183,54 $
100
17,39 $
1 738,80 $
500
16,42 $
8 211,00 $
1000
15,46 $
15 456,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top