RAQ045P01TCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-457T-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

40 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.95 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

RAQ045P01

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

1.8 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S

Күз уақыты:

150 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

60 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

400 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RAQ045P01

Tags

RAQ0, RAQ