SQ1912EH-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

800 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

200 mOhms, 200 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

1.15 nC, 1.15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.6 S, 2.6 S

Күз уақыты:

17 ns, 17 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns, 21 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns, 19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns, 3 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SQ1912E, SQ191, SQ19, SQ1