ZXMN10A08GTA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

7.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.65 mm

Ұзындығы:

6.7 mm

Серия:

ZXMN10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.7 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

5 S

Күз уақыты:

3.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.2 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.4 ns

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

ZXMN10A08G, ZXMN10A08, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM