BSD223P H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

390 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

- 620 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

BSD223

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

350 mS

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

3.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSD223PH6327XT BSD223PH6327XTSA1 SP000924074

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

BSD223PH, BSD223, BSD22, BSD2, BSD