IXFT80N10

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-268-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.5 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.1 mm

Ұзындығы:

16.05 mm

Серия:

IXFT80N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

14 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

26 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

63 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Бірлік салмағы:

0.158733 oz

Tags

IXFT80N1, IXFT80, IXFT8, IXFT, IXF