SI2301BDS-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

4.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.45 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

SI2

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.6 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.5 S

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI2301BDS-GE3

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

SI2301BDS-T1, SI2301BDS-T, SI2301BD, SI2301B, SI2301, SI230, SI23, SI2