CG2H80030D-GP4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN

Табыс:

17 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

- 10 V to 2 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

0.8 A

Шығу қуаты:

6 W

Су төгетін қақпаның максималды кернеуі:

-

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

-

Pd - қуаттың шығыны:

-

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

Өл

Қаптама:

Гель пакеті

Қолдану:

-

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

100 um

Ұзындығы:

840 um

Жұмыс жиілігі:

10 MHz to 18 GHz

Жұмыс температурасының диапазоны:

-

Өнім:

GaN HEMT

Ені:

800 um

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Шлюз-көзінің кесу кернеуі:

-

Сынып:

-

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

-

NF - Шудың суреті:

-

P1dB - қысу нүктесі:

-

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.3 Ohms

Көтеру уақыты:

-

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

Транзисторлар

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

-

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2