IXFN70N60Q2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

70 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.6 mm

Ұзындығы:

38.2 mm

Серия:

IXFN70N60

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

25.07 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXFN70, IXFN7, IXFN, IXF